Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Музафарова Марина Викторовна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 11
Научных статей: 11

Статистика просмотров:
Эта страница:141
Страницы публикаций:930
Полные тексты:276
Списки литературы:72
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person62790
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Р. А. Бабунц, А. С. Гурин, И. В. Ильин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Высокочастотная ЭПР-спектроскопия парамагнитных центров марганца в кристаллах GaAs : Mn”, Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1906–1914  mathnet  elib 1
2. Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021),  533–540  mathnet; R. A. Babunts, A. N. Anisimov, I. D. Breev, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Fully optical detection of hyperfine electron–nuclear interactions in spin centers in 6h-sic crystals with a modified 13c isotope content”, JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469  isi 3
2020
3. Р. А. Бабунц, Д. Д. Крамущенко, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе”, Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1807–1815  mathnet  elib; R. A. Babunts, D. D. Kramushchenko, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, A. G. Badalyan, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “Features of high-frequency EPR/ESE/ODMR spectroscopy of NV-defects in diamond”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2024–2032 4
4. Е. В. Единач, А. Д. Криворучко, А. С. Гурин, М. В. Музафарова, И. В. Ильин, Р. А. Бабунц, Н. Г. Романов, А. Г. Бадалян, П. Г. Баранов, “Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  103–110  mathnet  elib; E. V. Edinach, A. D. Krivoruchko, A. S. Gurin, M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, R. A. Babunts, N. G. Romanov, A. G. Badalyan, P. G. Baranov, “Application of high-frequency EPR spectroscopy for the identification and separation of nitrogen and vanadium sites in silicon carbide crystals and heterostructures”, Semiconductors, 54:1 (2020), 150–156 1
2019
5. А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, М. В. Музафарова, П. Г. Баранов, “Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  22–26  mathnet  elib; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, M. V. Muzafarova, P. G. Baranov, “A scanning optical quantum magnetometer based on the phenomenon of burning holes”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 494–498
2018
6. И. В. Ильин, Ю. А. Успенская, Д. Д. Крамущенко, М. В. Музафарова, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР”, Физика твердого тела, 60:4 (2018),  641–659  mathnet  elib; I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 3
7. А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  34–41  mathnet  elib; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicron resolution based on the cross-relaxation phenomenon of spin levels”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 772–775
2017
8. А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  70–77  mathnet  elib; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicrometer resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 355–357 2
2016
9. М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2319–2335  mathnet  elib; M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422 5
10. А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  22–29  mathnet  elib; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 2
2005
11. П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  494–497  mathnet; P. G. Baranov, I. V. Il'in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, J. Shmidt, “EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide”, JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443  isi  scopus 79

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024