|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводники
Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе
Р. А. Бабунц, Д. Д. Крамущенко, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методы высокочастотного электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), электронного спинового эха (ЭСЭ) и оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) использованы для исследования уникальных свойств азотно-вакансионных дефектов (nitrogen-vacancy NV center) в алмазе в сильных магнитных полях. Показано, что в сильных магнитных полях ($\sim$3–5 T) происходит эффективное оптически индуцированное выстраивание населенностей спиновых уровней, с заполнением уровня $M_{S}$ = 0 и опустошением уровней $M_{S}$ = $\pm$1, что позволило регистрировать ОДМР по изменению интенсивности фотолюминесценции, достигающим 10% в момент резонанса. Продемонстрировано, что эта эффективность имеет тот же порядок, что и в нулевых и низких магнитных полях. Образцы предварительно исследовались методом ОДМР в нулевых магнитных полях, что позволило точно определить основные параметры тонкой структуры и сверхтонкие взаимодействия с ядрами азота, а также диполь-дипольные взаимодействия между NV-центром и глубокими донорами азота в виде атома азота, замещающего углерод, N$^{0}$. В спектрах высокочастотного ОДМР наблюдались сверхтонкие взаимодействия с ближайшими атомами углерода (изотоп $^{13}$C), что открывает возможности для измерения оптическими методами процессов динамической поляризации ядер углерода в сильных магнитных полях. Предполагается, что узкие линии ОДМР в сильных магнитных полях могут быть использованы для измерения этих полей с субмикронным пространственным разрешением. Разработан новый метод регистрации ОДМР NV-центров с модуляцией микроволновой частоты, упрощающий технику измерения высоких магнитных полей. Продемонстрировано значительное увеличение интенсивности сигнала ОДМР при ориентации сильного магнитного поля вдоль оси симметрии NV-центра.
Ключевые слова:
электронный парамагнитный резонанс, оптически детектируемый магнитный резонанс, спектрометр ЭПР, алмаз, NV-дефект.
Поступила в редакцию: 20.06.2020 Исправленный вариант: 20.06.2020 Принята в печать: 30.06.2020
Образец цитирования:
Р. А. Бабунц, Д. Д. Крамущенко, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1807–1815; Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2024–2032
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8246 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i11/p1807
|
|