Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 103–110
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48784.9233
(Mi phts5316)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния

Е. В. Единач, А. Д. Криворучко, А. С. Гурин, М. В. Музафарова, И. В. Ильин, Р. А. Бабунц, Н. Г. Романов, А. Г. Бадалян, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано преимущество высокочастотной спектроскопии электронного парамагнитного резонанса для идентификации доноров азота и глубокой компенсирующей примеси ванадия в различных кристаллографических позициях кристалла карбида кремния. Измерения были выполнены на спектрометре электронного парамагнитного резонанса нового поколения, работающем как в непрерывном, так и в импульсном режимах на частотах 94 и 130 ГГц в широком интервале магнитных полей (-7–7 Тл) и температур (1.5–300 K) с применением магнитооптического криостата замкнутого цикла (Spectormag PT), высокостабильных генераторов (94 и 130 ГГц) и безрезонаторной системы подачи микроволновой мощности на образец.
Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс, электронное спиновое эхо, полупроводники, карбид кремния, донорные примеси.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-52-12058
Deutsche Forschungsgemeinschaft ICRC TRR160
Работа была поддержана РФФИ № 19-52-12058 и ДФГ (DFG) ICRC TRR160 (Project C7).
Поступила в редакцию: 02.08.2019
Исправленный вариант: 12.08.2019
Принята в печать: 12.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 150–156
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010066
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Единач, А. Д. Криворучко, А. С. Гурин, М. В. Музафарова, И. В. Ильин, Р. А. Бабунц, Н. Г. Романов, А. Г. Бадалян, П. Г. Баранов, “Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 103–110; Semiconductors, 54:1 (2020), 150–156
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EdiKriGur20}
\by Е.~В.~Единач, А.~Д.~Криворучко, А.~С.~Гурин, М.~В.~Музафарова, И.~В.~Ильин, Р.~А.~Бабунц, Н.~Г.~Романов, А.~Г.~Бадалян, П.~Г.~Баранов
\paper Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 103--110
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5316}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48784.9233}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571080}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 150--156
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010066}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5316
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p103
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024