|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Электронно-стимулированная десорбция атомов лития из слоев лития на поверхности Li$_{x}$Au$_{y}$”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1701–1705   ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “Electron-stimulated desorption of lithium atoms from lithium layers at the Li$_{x}$Au$_{y}$ surface”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1711–1715 |
2
|
| 2. |
П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура термически окисленного вольфрама”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1166–1171 ; P. A. Dementev, E. V. Dementevа, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of thermally oxidized tungsten”, Phys. Solid State, 63 (2021), 1153–1158 |
| 3. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Десорбция атомов лития c поверхности Li/Li$_{x}$Au$_{y}$, стимулированная электронным облучением”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 6–9 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “Electron-stimulated desorption of lithium atoms from a Li/Li$_{x}$Au$_{y}$ surface”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 799–802 |
|
2020 |
| 4. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Десорбция атомов калия, стимулированная электронным облучением системы K/K$_{x}$Au$_{y}$”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1949–1954 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “Desorption of potassium atoms stimulated by electron radiation of the K/K$_{x}$Au$_{y}$ system”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2197–2202 |
3
|
| 5. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1618–1626 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of an ultrathin molybdenum oxide film”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1787–1795 |
1
|
| 6. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1171–1178 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Gold nanoparticles adsorbed on tungsten: effect of sodium atom deposition and heating”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1317–1324 |
| 7. |
P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1395 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1698–1701 |
1
|
| 8. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Электронно-стимулированная десорбция атомов калия из слоев калия на поверхности K$_{x}$Au$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 35–38 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “Electron-stimulated desorption of K atoms from potassium adlayers on a K$_{x}$Au$_{y}$ surface”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 921–924 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2024–2029 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxidized in air”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1993–1998 |
1
|
| 10. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, Е. В. Рутьков, Н. Р. Галль, “Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия с графена на иридии, интеркалированного и не интеркалированого цезием”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1526–1531 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, E. V. Rut'kov, N. R. Gall', “Electron-stimulated desorption of cesium atoms from graphene to iridium intercalated and not intercalated with cesium”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1478–1483 |
1
|
| 11. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Электронно-стимулированная десорбция атомов натрия и калия с окисленного вольфрама”, ЖТФ, 89:2 (2019), 310–313 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “Electron-stimulated desorption of sodium and potassium atoms from oxidized tungsten”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 278–281 |
|
2018 |
| 12. |
М. В. Кнатько, М. Н. Лапушкин, “Влияние переноса заряда в NaAu$_{y}$ на эмиссию ионов”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 20–26 ; M. V. Knat'ko, M. N. Lapushkin, “The influence of charge transfer on ion emission from NaAu$_{y}$ film”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 713–715 |
| 13. |
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, Д. Е. Марченко, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58 ; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, D. E. Marchenko, S. N. Timoshnev, “The electronic structure of the Cs/$n$-GaN(0001) nano-interface”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 247–250 |
5
|
|
2017 |
| 14. |
М. В. Кнатько, М. Н. Лапушкин, “Фотоэмиссия системы K/W(100) в атмосфере O$_{2}$”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1089–1096 ; M. V. Knat'ko, M. N. Lapushkin, “Photoemission of the K/W(100) system in the O$_{2}$ atmosphere”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1104–1111 |
| 15. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Выход электронно-стимулированной десорбции и глубина проникновения возбуждающих электронов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 80–87 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, “The electron-stimulated desorption yield and penetration range of exciting electrons”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 674–677 |
2
|
|
2016 |
| 16. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1348–1352 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 |
3
|
| 17. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, Б. В. Сеньковский, С. Н. Тимошнев, “Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 465–469 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, B. V. Senkovskiy, S. N. Timoshnev, “Induced surface states of the ultrathin Ва/3$C$-SiC(111) interface”, Semiconductors, 50:4 (2016), 457–461 |
2
|
| 18. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 |
3
|
| 19. |
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, Н. Д. Потехина, “Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия из слоев цезия, адсорбированных на поверхности золота”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 14–21 ; Yu. A. Kuznetsov, M. N. Lapushkin, N. D. Potehina, “Electron-stimulated desorption of cesium atoms from adlayers on a gold surface”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 614–617 |
6
|
|
2012 |
| 20. |
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, В. П. Евтихиев, А. С. Школьников, “Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012), 363–366 ; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, V. P. Evtikhiev, A. S. Shkolnikov, “Photoemission from InAs/GaAs quantum dots decorated with cesium adatoms”, JETP Letters, 96:5 (2012), 332–335   |
1
|
|
2010 |
| 21. |
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа”, Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743 ; G. V. Benemanskaya, V. N. Zhmerik, M. N. Lapushkin, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of a Ba/n-AlGaN(0001) interface and the formation of a degenerate 2D electron gas”, JETP Letters, 91:12 (2010), 670–674 |
3
|
|
1987 |
| 22. |
Г. В. Бенеманская, О. П. Бурмистрова, М. Н. Лапушкин, “Формирование двумерных электронных зон в системе W (110)$-$Ba при субмонослойных покрытиях”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1646–1652 |
|
Обратная связь: