|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Выход электронно-стимулированной десорбции и глубина проникновения возбуждающих электронов
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы концентрационные зависимости электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) атомов Cs и Na при адсорбции на неметаллических покрытиях, выращенных на W-подложке. Обнаружено, что процессы ЭСД происходят в интерфейсе адсорбированный слой-неметаллическая подложка. Показано, что спад в концентрационной зависимости выхода ЭСД, наблюдающийся после достижения монослойного покрытия, связан с уменьшением количества возбуждающих ЭСД электронов, достигающих интерфейса.
Поступила в редакцию: 19.03.2017
Образец цитирования:
Ю. А. Кузнецов, М. Н. Лапушкин, “Выход электронно-стимулированной десорбции и глубина проникновения возбуждающих электронов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 80–87; Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 674–677
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6176 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i14/p80
|
|