|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. В. Ненашев, М. С. Истомина, И. П. Щербаков, А. В. Швидченко, В. Н. Петров, А. Н. Алешин, “Композитные пленки на основе углеродных квантовых точек в матрице проводящего полимера PEDOT : PSS”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1183–1188   ; G. V. Nenashev, M. S. Istomina, I. P. Shcherbakov, A. V. Shvidchenko, V. N. Petrov, A. N. Aleshin, “Composite films based on carbon quantum dots in a matrix of PEDOT:PSS conductive polymer”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1276–1282 |
5
|
| 2. |
A. N. Aleshin, P. P. Shirinkin, A. K. Khripunov, N. N. Saprykina, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, P. A. Aleshin, V. N. Petrov, “Photoluminescence and photoconductivity of lead halide perovskite films modified with mixed cellulose esters”, ЖТФ, 91:6 (2021), 987  ; Tech. Phys., 66:7 (2021), 827–834 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
А. А. Базанова, В. Н. Петров, А. Н. Алешин, “Проводимость композитных пленок на основе проводящего полимера PEDOT : PSS, оксида графена и наночастиц TiO$_{2}$ для контактных слоев перовскитных фотовольтаических структур”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 773–778 ; A. A. Bazanova, V. N. Petrov, A. N. Aleshin, “Conductivity of composite films based on conductive polymer PEDOT:PSS, graphene oxide and nanoparticles TiO$_{2}$ for contact layers of perovskite photovoltaic structures”, Phys. Solid State, 61:4 (2019), 659–664 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2457–2461 ; A. N. Aleshin, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, V. N. Petrov, “Field-effect transistors with high mobility and small hysteresis of transfer characteristics based on CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ films”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2486–2490 |
16
|
| 6. |
Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Бибик, В. А. Асеев, О. А. Усов, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, Н. В. Никоноров, “Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 763–765 ; L. N. Luk'yanova, A. Yu. Bibik, V. A. Aseev, O. A. Usov, I. V. Makarenko, V. N. Petrov, N. V. Nikonorov, “On the morphology of the interlayer surface and micro-Raman spectra of layered films in topological insulators based on bismuth telluride”, Semiconductors, 51:6 (2017), 729–731 |
2
|
|
2016 |
| 7. |
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1818–1825 ; A. N. Aleshin, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, V. N. Petrov, “Field-effect transistor structures on the basis of poly(3-hexylthiophene), fullerene derivatives [60]PCBM, [70]PCBM, and nickel nanoparticles”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1882–1890 |
5
|
| 8. |
Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Бибик, В. А. Асеев, О. А. Усов, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, Н. В. Никоноров, В. А. Кутасов, “Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1390–1397 ; L. N. Luk'yanova, A. Yu. Bibik, V. A. Aseev, O. A. Usov, I. V. Makarenko, V. N. Petrov, N. V. Nikonorov, V. A. Kutacov, “Surface morphology and Raman spectroscopy of thin layers of antimony and bismuth chalcogenides”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1440–1447 |
3
|
| 9. |
Е. В. Рутьков, Е. Ю. Афанасьева, В. Н. Петров, Н. Р. Галль, “Получение графеновых и графитовых пленок на поверхности Ni (111)”, ЖТФ, 86:11 (2016), 121–124 ; E. V. Rut'kov, E. Yu. Afanas'eva, V. N. Petrov, N. R. Gall', “Fabrication of graphene and graphite films on the Ni(111) surface”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1724–1728 |
2
|
| 10. |
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201 ; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 |
8
|
| 11. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 12. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 |
6
|
|
Обратная связь: