Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 763–765
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44553.13
(Mi phts6131)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута

Л. Н. Лукьяноваa, А. Ю. Бибикb, В. А. Асеевb, О. А. Усовa, И. В. Макаренкоa, В. Н. Петровa, Н. В. Никоноровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: В тонких слоистых пленках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и твердых растворов на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$ исследованы резонансные микро-рамановские спектры и морфология межслоевой ван-дер-ваальсовой поверхности. Установлено влияние состава, толщины, морфологии поверхности и метода получения пленок на относительную интенсивность рамановских фононов, чувствительных к поверхностным топологическим состояниям фермионов Дирака.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 729–731
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060197
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Бибик, В. А. Асеев, О. А. Усов, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, Н. В. Никоноров, “Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 763–765; Semiconductors, 51:6 (2017), 729–731
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukBibAse17}
\by Л.~Н.~Лукьянова, А.~Ю.~Бибик, В.~А.~Асеев, О.~А.~Усов, И.~В.~Макаренко, В.~Н.~Петров, Н.~В.~Никоноров
\paper Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 763--765
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6131}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44553.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404941}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 729--731
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060197}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6131
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p763
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024