|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, А. Н. Крушельницкий, А. В. Суслов, М. В. Суслов, “Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 736–740 ; E. V. Demidov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, A. N. Krushelnitckii, A. V. Suslov, M. V. Suslov, “Specific features of the quantum-size effect in transport phenomena in bismuth-thin films on mica substrates”, Semiconductors, 53:6 (2019), 727–731 |
20
|
2. |
А. В. Суслов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, С. В. Сенкевич, М. В. Суслов, “Параметры зонной структуры тонких пленок Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) на подложках с различным температурным расширением”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 616–619 ; A. V. Suslov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, E. V. Demidov, S. V. Senkevich, M. V. Suslov, “The band-structure parameters of Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) thin films on substrates with different thermal-expansion coefficients”, Semiconductors, 53:5 (2019), 611–614 |
11
|
3. |
М. В. Суслов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, С. В. Сенкевич, А. В. Суслов, “Термоэдс тонких пленок Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) на подложках из слюды и полиимида в температурном интервале 77–300 K”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 593–596 ; M. V. Suslov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, E. V. Demidov, S. V. Senkevich, A. V. Suslov, “The thermoelectric power of Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) on mica and polyimide substrates in the temperature range of 77–300 K”, Semiconductors, 53:5 (2019), 589–592 |
5
|
|
2018 |
4. |
Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, “Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 452–455 ; E. V. Demidov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, N. S. Kablukova, A. N. Krushelnitckii, “Topological insulator state in thin bismuth films subjected to plane tensile strain”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 457–460 |
9
|
5. |
В. М. Грабов, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, А. В. Суслов, М. В. Суслов, “Гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi$_{95}$Sb$_{5}$ на подложках с различным температурным расширением”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 71–79 ; V. M. Grabov, V. A. Komarov, E. V. Demidov, A. V. Suslov, M. V. Suslov, “Galvanomagnetic properties of Bi$_{95}$Sb$_{5}$ thin films on substrates with different thermal expansions”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 487–490 |
6
|
|
2017 |
6. |
В. М. Грабов, Е. В. Демидов, Е. К. Иванова, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, М. В. Старицын, “Влияние отжига при температуре выше температуры солидуса на структуру и гальваномагнитные свойства тонких пленок твердого раствора Bi$_{92}$Sb$_{8}$”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1071–1077 ; V. M. Grabov, E. V. Demidov, E. K. Ivanova, V. A. Komarov, N. S. Kablukova, A. N. Krushelnitckii, M. V. Staritsyn, “Influence of annealing at temperatures above the solidus temperature on the structure and galvanomagnetic properties of Bi$_{92}$Sb$_{8}$ solid-solution thin films”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1087–1092 |
4
|
7. |
Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Д. О. Сканченко, Е. С. Макарова, Е. В. Демидов, “Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 917–920 ; N. S. Kablukova, V. A. Komarov, D. O. Skanchenko, E. S. Makarova, E. V. Demidov, “Galvanomagnetic properties of bismuth films with a thin antimony coating or sublayer”, Semiconductors, 51:7 (2017), 879–882 |
4
|
8. |
А. Н. Крушельницкий, Е. В. Демидов, Е. К. Иванова, Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, “Зависимость морфологии поверхности ультратонких пленок висмута на слюдяной подложке от толщины пленки”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 914–916 ; A. N. Krushelnitckii, E. V. Demidov, E. K. Ivanova, N. S. Kablukova, V. A. Komarov, “Dependence of the surface morphology of ultrathin bismuth films on mica substrates on the film thickness”, Semiconductors, 51:7 (2017), 876–878 |
3
|
9. |
Е. В. Демидов, В. А. Комаров, А. Н. Крушельницкий, А. В. Суслов, “Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 877–879 ; E. V. Demidov, V. A. Komarov, A. N. Krushelnitckii, A. V. Suslov, “Measurement of the thickness of block-structured bismuth films by atomic-force microscopy combined with selective chemical etching”, Semiconductors, 51:7 (2017), 840–842 |
12
|
10. |
В. М. Грабов, Е. В. Демидов, Е. К. Иванова, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, С. В. Сенкевич, “Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 867–869 ; V. M. Grabov, E. V. Demidov, E. K. Ivanova, N. S. Kablukova, A. N. Krushelnitckii, S. V. Senkevich, “Structure of bismuth films obtained using an array of identically oriented single-crystal bismuth islands preliminarily grown on a substrate”, Semiconductors, 51:7 (2017), 831–833 |
4
|
|