Параметры зонной структуры тонких пленок Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) на подложках с различным температурным расширением

В работе представлены результаты расчета концентрации носителей заряда в пленках висмут–сурьма в интервале концентраций от 0 до 15 ат% сурьмы на подложках с различным коэффициентом температурного расширения, выполненные на основе результатов экспериментальных исследований гальваномагнитных свойств пленок. Показано значительное увеличение концентрации при использовании подложек с большим температурным расширением. Приведены результаты расчета положения валентной зоны и зоны проводимости при 77 K в зависимости от коэффициента температурного расширения используемой подложки. Показано, что под действием плоскостной деформации тонких пленок, вызванной различием температурного расширения материалов пленки и подложки, положение зоны проводимости и валентной зоны пленок изменяется относительно их положения в монокристалле соответствующего состава.