Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 867–869
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44628.14 (Mi phts6085) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута

В. М. Грабовa, Е. В. Демидовa, Е. К. Ивановаa, Н. С. Каблуковаa, А. Н. Крушельницкийa, С. В. Сенкевичb

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (302 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44628.14
Аннотация: Для улучшения структуры тонких пленок висмута, получаемых методом термического испарения в вакууме, апробировано использование в качестве подложки ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута, сформированных на пластинах слюды. Ансамбль островков формировался путем химического травления монокристаллической пленки висмута толщиной 1 мкм, полученной зонной перекристаллизацией под покрытием. Методами рентгеноструктурного анализа, атомно-силовой микроскопии и методом дифракции отраженных электронов в сканирующем электронном микроскопе исследована структура полученных пленок.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 831–833
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070119
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Грабов, Е. В. Демидов, Е. К. Иванова, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, С. В. Сенкевич, “Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 867–869; Semiconductors, 51:7 (2017), 831–833
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraDemIva17}
\by В.~М.~Грабов, Е.~В.~Демидов, Е.~К.~Иванова, Н.~С.~Каблукова, А.~Н.~Крушельницкий, С.~В.~Сенкевич
\paper Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 867--869
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6085}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44628.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772343}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 831--833
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070119}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6085
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p867
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024