|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
XIV Международная конференция ''Физика диэлектриков'', Санкт-Петербург 29 мая-2 июня 2017 года
Физика поверхности, тонкие пленки
Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения
Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных свойств тонких пленок висмута, находящихся под воздействием плоскостной деформации растяжения вследствие меньшего температурного коэффициента расширения материала подложки по сравнению с висмутом. Исследованы удельное сопротивление, магнетосопротивление и коэффициент Холла в интервале температур 5–300 K и магнитном поле до 0.65 T. Рассчитаны концентрации носителей заряда. Обнаружено существенное возрастание концентрации носителей заряда для пленок толщиной меньше 30 nm, что указывает на возможное увеличение роли поверхностных состояний и проявление свойств топологического изолятора в тонких пленках висмута на подложках из слюды.
Образец цитирования:
Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, “Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 452–455; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 457–460
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9261 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i3/p452
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 19 |
|