|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407   ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, “Effects of doping of bragg reflector layers on the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters”, Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 41–43 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Increasing the photocurrent of a Ga(In)As subcell in multijunction solar cells based on GaInP/Ga(In)As/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1258–1261 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, В. М. Андреев, “Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 95–101 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Andreev, “An antireflection coating of a germanium subcell in GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1042–1044 |
1
|
| 4. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, “Optical properties of InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures for photovoltaic converters of laser and solar radiation”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 877–880 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
42
|
| 6. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 |
10
|
| 7. |
В. М. Емельянов, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 132–137 ; V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 |
6
|
| 8. |
В. М. Емельянов, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 125–131 ; V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 |
15
|
|
Обратная связь: