Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование спектральных характеристик Ga(In)As-субэлементa трехпереходных солнечных элементов GaInP/Ga(In)As/Ge. Показано, что использование слоя широкозонного “окна” с оптимизированной толщиной (Ga$_{0.51}$In$_{0.49}$P – 100 nm, Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As – 110 nm, Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As – 115 nm) для Ga(In)As-субэлемента позволяет увеличить его фототок на величину порядка 0.5 mA/cm$^{2}$, замена материала слоя тыльного потенциального барьера GaInP-субэлемента с Al$_{0.53}$In$_{0.47}$P на $p^{+}$-Ga$_{0.51}$In$_{0.49}$P или AlGaAs позволяет повысить ток короткого замыкания Ga(In)As-субэлемента еще на величину порядка 0.8 mA/cm$^{2}$, а использование в туннельном диоде широкозонного слоя $n^{++}$-Ga$_{0.51}$In$_{0.49}$P вместо $n^{++}$-GaAs повышает фототок на величину порядка 1 mA/cm$^{2}$.