Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах

Проведено моделирование спектральных характеристик Ge-субэлемента трехпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge. Показано, что использование нуклеационного слоя GaInP, создающего мелкий диффузионный $p$–$n$-переход в Ge, позволяет повысить фотогенерированный ток Ge-субэлемента на $\sim$4.5 mA/cm$^{2}$ по сравнению с величиной в случае нуклеационного слоя GaAs, а оптимальная толщина этого слоя (170–180 nm) позволяет дополнительно увеличить фототок на $\sim$1.5 mA/cm$^{2}$. Экспериментально продемонстрировано увеличение фотогенерированного тока Ge-субэлемента солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge на 3.9 mA/cm$^{2}$ при замене нуклеационного слоя GaAs на GaInP, а также дополнительный прирост на 0.9 mA/cm$^{2}$ при использовании оптимальной толщины нуклеационного слоя GaInP.