Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей

Исследованы вольт-амперные характеристики In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными $n$-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) $x$ = 0.025 – 0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-$n$:Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32 – 0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования $n$-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2 А/см$^{2}$. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов “памяти” и сегрегации теллура.