|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы вольт-амперные характеристики In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными $n$-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) $x$ = 0.025 – 0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-$n$:Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32 – 0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования $n$-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2 А/см$^{2}$. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов “памяти” и сегрегации теллура.
Ключевые слова:
фотоэлектрический преобразователь, брэгговский отражатель, InGaAs, InAlAs, легирование, резистивные потери, гетерограница.
Поступила в редакцию: 27.11.2019 Исправленный вариант: 05.12.2019 Принята в печать: 05.12.2019
Образец цитирования:
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407; Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5250 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p400
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 15 |
|