|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 525–530
(Mi phts6496)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей на подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия $\sim$24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 105—1100 нм $\sim$80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразоввтелей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия $>$ 10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои.
Поступила в редакцию: 27.07.2015 Принята в печать: 28.08.2015
Образец цитирования:
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530; Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6496 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p525
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 14 |
|