|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом спектроскопии отражения на специально созданных гетероструктурах брэгговских отражателей определены показатели преломления наноразмерных слоев In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As и In$_{x}$Al$_{1-x}$As с концентрациями индия $x$ = 0.21–0.24 и алюминия $y$ = 0, 0.10, 0.20 в диапазоне длин волн 700–2000 nm. Продемонстрирована применимость метода, основанного на анализе авто- и кросс-корреляционных коэффициентов производных по длине волны в зависимости от величины отражения таких структур для нахождения дисперсионных кривых материалов, формирующих отражатель. Установлено, что увеличение концентрации индия в InGaAs и AlInAs приводит к существенному росту показателя преломления при сохранении спектрального хода значений показателя преломления, характерного для арсенида галлия и арсенида алюминия.
Поступила в редакцию: 25.06.2018
Образец цитирования:
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 877–880
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5679 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i19/p50
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 24 |
|