Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 19, страницы 50–58
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.19.46682.17434
(Mi pjtf5679)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения

В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методом спектроскопии отражения на специально созданных гетероструктурах брэгговских отражателей определены показатели преломления наноразмерных слоев In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As и In$_{x}$Al$_{1-x}$As с концентрациями индия $x$ = 0.21–0.24 и алюминия $y$ = 0, 0.10, 0.20 в диапазоне длин волн 700–2000 nm. Продемонстрирована применимость метода, основанного на анализе авто- и кросс-корреляционных коэффициентов производных по длине волны в зависимости от величины отражения таких структур для нахождения дисперсионных кривых материалов, формирующих отражатель. Установлено, что увеличение концентрации индия в InGaAs и AlInAs приводит к существенному росту показателя преломления при сохранении спектрального хода значений показателя преломления, характерного для арсенида галлия и арсенида алюминия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03216 офи_м
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-29-03216 офи_м).
Поступила в редакцию: 25.06.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 10, Pages 877–880
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018100061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 877–880
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmeKalMin18}
\by В.~М.~Емельянов, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, М.~З.~Шварц
\paper Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 19
\pages 50--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5679}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.19.46682.17434}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36905885}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 10
\pages 877--880
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018100061}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5679
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i19/p50
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024