|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. С. Тужилкин, П. Г. Беспалова, М. В. Мишин, И. Е. Колесников, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96   ; M. S. Tuzhilkin, P. G. Bespalova, M. V. Mishin, I. E. Kolesnikov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Formation of Au nanoparticles and features of etching of a Si substrate under irradiation with atomic and molecular ions”, Semiconductors, 54:1 (2020), 137–143 |
6
|
|
2019 |
| 2. |
А. И. Титов, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Стручков, “Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1455–1458 ; A. I. Titov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Struchkov, “Do chemical effects affect the accumulation of structural damage during the implantation of fluorine ions into GaN?”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1415–1418 |
7
|
|
2018 |
| 3. |
В. В. Козловский, А. Э. Васильев, П. А. Карасев, А. А. Лебедев, “Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 327–332 ; V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 |
4
|
|
2017 |
| 4. |
Е. Н. Шубина, П. А. Карасев, А. И. Титов, О. А. Подсвиров, А. Я. Виноградов, Н. Н. Карасёв, А. В. Поздняков, “Влияние добавления диборана на свойства плазмохимически осаждаемых углеродных пленок”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 80–88 ; E. N. Shubina, P. A. Karaseov, A. I. Titov, O. A. Podsvirov, A. Ya. Vinogradov, N. N. Karasev, A. V. Pozdnyakov, “The effect of diborane additive on the plasma-chemical properties of deposited carbon films”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 81–84 |
6
|
| 5. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 |
4
|
|
2016 |
| 6. |
К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1009–1015 ; K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si”, Semiconductors, 50:8 (2016), 989–995 |
6
|
|
Обратная связь: