|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
М. С. Тужилкинa, П. Г. Беспаловаa, М. В. Мишинa, И. Е. Колесниковb, К. В. Карабешкинc, П. А. Карасевa, А. И. Титовa a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Ресурсный центр "Оптические и лазерные методы исследования вещества",
Санкт-Петербургский государственный университет
c Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ЭЛАР", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовано образованиe наночастиц при облучении тонких металлических плeнок золота быстрыми атомарными и молекулярными ионами. Полученные структуры были использованы для получения пористого кремния методом металл-ассистируемого каталитического химического травления. Размер получаемых наночастиц золота и структура пористого кремния сильно зависят от типа и флюенса падающих частиц. Локальное повышение плотности выделения энергии у поверхности мишени при бомбардировке молекулярными ионами позволяет существенно снизить дозы, необходимые для формирования заданных морфологий плeнки и распределения наночастиц на поверхности, оказывая в то же время меньшее радиационное воздействие на подложку. Форма спектров флуоресценции и спектров возбуждения флуоресценции пористого кремния, полученного из облученных структур, не зависит от параметров облучения, но изменяется в зависимости от концентрации травящего раствора.
Ключевые слова:
золотые наночастицы, ионное облучение, молекулярные ионы, пористый кремний, флуоресценция.
Поступила в редакцию: 23.07.2019 Исправленный вариант: 29.07.2019 Принята в печать: 29.07.2019
Образец цитирования:
М. С. Тужилкин, П. Г. Беспалова, М. В. Мишин, И. Е. Колесников, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96; Semiconductors, 54:1 (2020), 137–143
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5314 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p90
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 76 | PDF полного текста: | 43 |
|