Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 90–96
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48782.9222
(Mi phts5314)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами

М. С. Тужилкинa, П. Г. Беспаловаa, М. В. Мишинa, И. Е. Колесниковb, К. В. Карабешкинc, П. А. Карасевa, А. И. Титовa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Ресурсный центр "Оптические и лазерные методы исследования вещества", Санкт-Петербургский государственный университет
c Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ЭЛАР", г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследовано образованиe наночастиц при облучении тонких металлических плeнок золота быстрыми атомарными и молекулярными ионами. Полученные структуры были использованы для получения пористого кремния методом металл-ассистируемого каталитического химического травления. Размер получаемых наночастиц золота и структура пористого кремния сильно зависят от типа и флюенса падающих частиц. Локальное повышение плотности выделения энергии у поверхности мишени при бомбардировке молекулярными ионами позволяет существенно снизить дозы, необходимые для формирования заданных морфологий плeнки и распределения наночастиц на поверхности, оказывая в то же время меньшее радиационное воздействие на подложку. Форма спектров флуоресценции и спектров возбуждения флуоресценции пористого кремния, полученного из облученных структур, не зависит от параметров облучения, но изменяется в зависимости от концентрации травящего раствора.
Ключевые слова: золотые наночастицы, ионное облучение, молекулярные ионы, пористый кремний, флуоресценция.
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 137–143
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262001025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Тужилкин, П. Г. Беспалова, М. В. Мишин, И. Е. Колесников, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96; Semiconductors, 54:1 (2020), 137–143
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TuzBesMis20}
\by М.~С.~Тужилкин, П.~Г.~Беспалова, М.~В.~Мишин, И.~Е.~Колесников, К.~В.~Карабешкин, П.~А.~Карасев, А.~И.~Титов
\paper Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 90--96
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5314}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48782.9222}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571078}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 137--143
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262001025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5314
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p90
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024