Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?

Исследовано накопление структурных повреждений в GaN при облучении ускоренными ионами F и Ne с энергиями 1.3 и 3.2 кэВ/а.е.м. Показано, что в рамках рассматриваемых доз химические эффекты при внедрении ионов фтора не оказывают существенного влияния на образование устойчивых структурных повреждений как в объеме, так и на поверхности GaN.