|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, А. С. Власов, Б. В. Пушный, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, “Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 52–54   |
|
2020 |
| 2. |
В. С. Эполетов, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, Р. А. Салий, “Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 13–14 ; V. S. Epoletov, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, R. A. Salii, “Electrical contacts to InP-based structures with a Zn-doped subcontact layer to $p$-InP”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1167–1169 |
1
|
| 3. |
Г. С. Гагис, В. И. Васильев, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 22–24 ; G. S. Gagis, V. I. Vasil'ev, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, V. I. Kuchinskii, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 961–963 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 5. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 |
10
|
| 7. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, E. V. Kontrosh, N. D. Prasolov, V. S. Kalinovskii, B. V. Pushnii, “Manufacture and study of switch $p$–$n$-junctions for cascade photovoltaic cells”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1130–1132 |
1
|
| 8. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
|
2017 |
| 9. |
А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт, “Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9 ; A. E. Marichev, R. V. Levin, A. B. Gordeeva, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, B. V. Pushnii, N. D. Prasolov, N. M. Shmidt, “Stress relaxation in InGaAsP/InP heterostructures for 1064-nm laser radiation converters”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 88–91 |
|
Обратная связь: