Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 23, страницы 13–14
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50340.18467 (Mi pjtf4918) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn

В. С. Эполетов, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, Р. А. Салий

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (87 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50340.18467
Аннотация: Представлены результаты использования подконтактных слоев с шириной запрещенной зоны $E_{g}$ от 0.35 до 0.8 eV для получения низкоомных электрических контактов к $p$-InP. Получена экспериментальная зависимость контактного сопротивления от $E_{g}$ подконтактного материала In$_{x}$Ga$_{1-x}$As.
Ключевые слова: электрические контакты, подконтактные слои, уменьшение сопротивления.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-30035
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 17-79-30035).
Поступила в редакцию: 15.07.2020
Исправленный вариант: 06.08.2020
Принята в печать: 07.08.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 12, Pages 1167–1169
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020120056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Эполетов, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, Р. А. Салий, “Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 13–14; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1167–1169
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EpoMarPus20}
\by В.~С.~Эполетов, А.~Е.~Маричев, Б.~В.~Пушный, Р.~А.~Салий
\paper Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 23
\pages 13--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4918}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50340.18467}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44574117}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 12
\pages 1167--1169
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020120056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4918
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i23/p13
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024