|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Д. В. Крапухин, П. П. Мальцев, Д. Н. Совык, В. Г. Ральченко, “Исследование потерь пропускания в поликристаллическом CVD-алмазе в миллиметровом диапазоне длин волн методом свободного пространства”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 43–46   |
|
2018 |
| 2. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 395–401 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 |
7
|
|
2017 |
| 3. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, А. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, И. А. Глинский, Д. В. Лаврухин, О. А. Рубан, П. П. Мальцев, “Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, A. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, I. A. Glinskiy, D. V. Lavrukhin, O. A. Ruban, P. P. Maltsev, “Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1218–1223 |
14
|
| 4. |
Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797 ; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765 |
| 5. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 |
15
|
| 6. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, П. П. Мальцев, М. М. Грехов, И. Е. Иляков, Б. В. Шишкин, Р. А. Ахмеджанов, “Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, P. P. Maltsev, M. M. Grekhov, I. E. Ilyakov, B. V. Shishkin, R. A. Akhmedzhanov, “Terahertz radiation in In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, grown on a GaAs wafer with a metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 51:4 (2017), 509–513 |
15
|
| 7. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 |
17
|
| 8. |
Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330 ; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 |
15
|
|
2016 |
| 9. |
К. Н. Томош, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Р. А. Хабибуллин, С. С. Арутюнян, П. П. Мальцев, “Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1434–1438 ; K. N. Tomosh, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, R. A. Khabibullin, S. S. Arutyunyan, P. P. Maltsev, “Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si$_{3}$N$_{4}$ passivation”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1416–1420 |
5
|
| 10. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 |
20
|
| 11. |
Д. В. Громов, П. П. Мальцев, С. А. Полевич, “Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 223–228 ; D. V. Gromov, P. P. Maltsev, S. A. Polevich, “Laser-assisted simulation of transient radiation effects in heterostructure components based on А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ semiconductor compounds”, Semiconductors, 50:2 (2016), 222–227 |
5
|
| 12. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 |
8
|
| 13. |
Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Д. С. Пономарев, А. С. Бугаев, П. П. Мальцев, “Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190 ; R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, D. S. Ponomarev, A. S. Bugaev, P. P. Maltsev, “Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 185–190 |
5
|
|
Обратная связь: