Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A

Исследовались нелегированные, однородно легированные Si и $\delta$-легированные Si слои GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230$^\circ$C на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (100) и (111)A. Давление As$_{4}$ варьировалось. Шероховатость поверхности образцов определялась с помощью атомно-силовой микроскопии, кристаллическое совершенство образцов – с помощью рентгеновской дифрактометрии, энергетические уровни различных дефектов – с помощью спектроскопии фотолюминесценции при температуре 79 K. Показано, что кристаллическая структура более дефектна в случае использования подложек GaAs (111)A. Также показано влияние величины потока As$_{4}$ во время роста на кристаллическую структуру низкотемпературного GaAs, выращенного на разных типах подложек.