|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
E. M. Elsehly, А. П. Евсеев, Е. А. Воробьева, Ю. В. Балакшин, Н. Г. Чеченин, А. А. Шемухин, “Влияние облучения ионами аргона на фильтрационные свойства многостенных углеродных нанотрубок”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 21–25   |
|
2020 |
| 2. |
Д. С. Киреев, А. Е. Иешкин, А. А. Шемухин, “Влияние температуры мишени на образование нанорельефа при облучении газовыми кластерными ионами”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 3–6 ; D. S. Kireev, A. E. Ieshkin, A. A. Shemukhin, “Influence of target temperature on the formation of a nanorelief under irradiation with gas cluster ions”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 409–412 |
7
|
|
2019 |
| 3. |
А. И. Морковкин, Е. А. Воробьева, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1692–1696 ; A. I. Morkovkin, E. A. Vorobyeva, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Modification of carbon nanotubes wettability by ion irradiation”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1683–1687 |
6
|
| 4. |
Ю. В. Балакшин, А. В. Кожемяко, S. Petrovic, M. Erich, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1030–1036 ; Yu. V. Balakshin, A. V. Kozhemiako, S. Petrovic, M. Erich, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Influence of the charge state of xenon ions on the depth distribution profile upon implantation into silicon”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1011–1017 |
3
|
| 5. |
А. В. Кожемяко, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 810–815 ; A. V. Kozhemiako, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Features of defect formation in the nanostructured silicon under ion irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 800–805 |
9
|
|
2018 |
| 6. |
Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, А. В. Назаров, А. В. Кожемяко, В. С. Черныш, “In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1900–1907 ; Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, A. V. Kozhemiako, V. S. Chernysh, “In situ modification and analysis of the composition and crystal structure of a silicon target by ion-beam methods”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1861–1867 |
19
|
|
2017 |
| 7. |
А. В. Кожемяко, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 778–782 ; A. V. Kozhemiako, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Study of the distribution profile of iron ions implanted into silicon”, Semiconductors, 51:6 (2017), 745–750 |
5
|
|
2016 |
| 8. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
Обратная связь: