Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1692–1696
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48629.9207
(Mi phts5337)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Углеродные системы

Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения

А. И. Морковкинa, Е. А. Воробьеваb, А. П. Евсеевab, Ю. В. Балакшинbc, А. А. Шемухинbc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
c Центр квантовых технологий МГУ им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Приведены результаты исследования изменения смачиваемости коммерческих многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ) Таунит-МД в результате облучения ионами Ar$^{+}$ c энергией 120 кэВ различными флюенсами. При помощи спектроскопии комбинационного рассеяния света и сканирующей электронной микроскопии исследована структура облученных МУНТ, и проведен рентгеноспектральный микроанализ образцов. Рассмотрены зависимости среднего диаметра МУНТ, концентрации O$_{2}$ и дефектности МУНТ в образцах от флюенса облучения, а также их влияние на угол смачиваемости дистиллированной водой, этиленгликолем и циклогексаном. Обсуждаются возможность и перспективы использования ионно-пучковых методов модификации для контролируемого изменения угла смачиваемости с целью создания гидрофобного или гидрофильного к различным видам жидкостей покрытия из МУНТ.
Ключевые слова: ионное облучение, многостенные углеродные нанотрубки, сканирующая электронная микроскопия, комбинационное рассеяние света, смачиваемость, метод сидячей капли.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-00149
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (РНФ) № 18-72-00149. А.П. Евсеев является стипендиатом Фонда развития теоретической физики и математики “БАЗИС”.
Поступила в редакцию: 08.07.2019
Исправленный вариант: 15.07.2019
Принята в печать: 15.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1683–1687
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160188
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Морковкин, Е. А. Воробьева, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1692–1696; Semiconductors, 53:12 (2019), 1683–1687
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorVorEvs19}
\by А.~И.~Морковкин, Е.~А.~Воробьева, А.~П.~Евсеев, Ю.~В.~Балакшин, А.~А.~Шемухин
\paper Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1692--1696
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5337}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48629.9207}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848199}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1683--1687
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160188}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5337
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1692
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024