Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний

Проведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 10$^{16}$ см$^{-2}$ в монокристалл кремния с ориентацией (110). Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием изучены профили распределения внедренной примеси, а также профили распределения радиационных дефектов в кристаллической решетке. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 4.6 кэВ/нуклон средние проективные пробеги совпадают, однако при энергии 1.6 кэВ/нуклон различие составляет 35%. Кроме того показано, что расчет некорректно учитывает дозовую зависимость при энергиях 1.6–4.6 кэВ/нуклон.