Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний

Представлены экспериментальные распределения концентрации имплантированных ионов ксенона по глубине в зависимости от их зарядового состояния и энергии облучения. Ионы ксенона в зарядовых состояниях $q$ = 1–20 и с энергиями в диапазоне от 50 до 400 кэВ были внедрены в монокристаллический кремний. Облучение проводилось в направлении, не совпадающем с кристаллографическими осями кристалла для исключения эффекта каналирования. Флюенс ионов варьировался в пределах 5 $\cdot$ (10$^{14}$–10$^{15}$) ион/см$^{2}$. Облучение однозарядными ионами и изучение образцов методом спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния проводилось на ускорительном комплексе HVEE МГУ. Имплантация многозарядных ионов проводилась на ускорительном комплексе FAMA Института ядерных наук Винча. С помощью спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния получены профили распределения по глубине внедренных ионов. Экспериментальные результаты сопоставлены с компьютерными расчетами. Показано, что средний проективный пробег многозарядных ионов в большинстве случаев имеет меньшие значения в сравнении со средним проективным пробегом однозарядных ионов и результатами компьютерного моделирования.