|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Р. К. Яфаров, Д. В. Нефедов, А. В. Сторублев, “Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:1 (2021), 69–79 |
1
|
2. |
Р. К. Яфаров, А. В. Сторублев, “Долговременная воспроизводимость эмиссионных характеристик алмазографитовых полевых источников электронов в нестационарных вакуумных условиях эксплуатации”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 17–19 |
|
2020 |
3. |
Р. К. Яфаров, Н. О. Шабунин, В. Я. Шаныгин, А. М. Захаревич, “Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 20:2 (2020), 134–143 |
4. |
Р. К. Яфаров, “Механизм полевой эмиссии электронов с туннельно-тонким алмазным покрытием на автокатоде”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 42–45 ; R. K. Yafarov, “Mechanism of field electron emission by a field cathode coated with a tunnel-thin diamond film”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 501–504 |
|
2019 |
5. |
Р. К. Яфаров, Д. В. Нефедов, “Влияние плазмохимической модификации поверхности на поперечный электронный транспорт и вольт-амперные характеристики кремниевых структур металл-диэлектрик-полупроводник”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:1 (2019), 76–82 |
6. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, Д. В. Нефедов, “Углеродный пленочный нанокомпозит для сильноточных полевых источников электронов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:1 (2019), 68–75 |
3
|
7. |
М. В. Давидович, Р. К. Яфаров, “Импульсные и статические автоэмиссионные ВАХ-углеродных нанокластерных структур: эксперимент и его интерпретация”, ЖТФ, 89:8 (2019), 1282–1293 ; M. V. Davidovich, R. K. Yafarov, “Pulsed and static field emission vac of carbon nanocluster structures: experiment and its interpretation”, Tech. Phys., 64:8 (2019), 1210–1220 |
10
|
8. |
Р. К. Яфаров, “Туннельная эмиссия электронов из наноструктурированных кремниевых катодных матриц с фтор-углеродным покрытием”, ЖТФ, 89:6 (2019), 952–957 ; R. K. Yafarov, “Tunnel emission from nanostructured field-emission array cathodes with a fluorine–carbon coating”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 897–901 |
9. |
Р. К. Яфаров, “Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 18–25 ; R. K. Yafarov, “Effect of plasma-chemical surface modification on the electron transport and work function in silicon crystals”, Semiconductors, 53:1 (2019), 14–21 |
4
|
10. |
Р. К. Яфаров, “Автоэмиссия многоострийных катодных матриц на кремнии $p$-типа в сильных импульсных электрических полях”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 3–5 ; R. K. Yafarov, “Autoemission of multipointed cathode matrices based on $p$-type silicon in strong pulsed electric fields”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 423–425 |
4
|
|
2018 |
11. |
М. В. Давидович, Р. К. Яфаров, “Автоэмиссионная шахматная структура на основе алмазографитовых кластеров”, ЖТФ, 88:2 (2018), 283–293 ; M. V. Davidovich, R. K. Yafarov, “Field-emission staggered structure based on diamond–graphite clusters”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 274–284 |
15
|
12. |
Р. К. Яфаров, “Ионная модификация автоэмиссионных свойств алмазографитовых пленочных структур”, ЖТФ, 88:1 (2018), 127–133 ; R. K. Yafarov, “Ion modification of the field-emission properties of diamond-graphite film structures”, Tech. Phys., 63:1 (2018), 126–132 |
5
|
13. |
Р. К. Яфаров, “Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 980–985 ; R. K. Yafarov, “Effect of high-dose carbon implantation on the phase composition, morphology, and field-emission properties of silicon crystals”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1104–1109 |
1
|
14. |
Р. К. Яфаров, “Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 147–153 ; R. K. Yafarov, “Use of the atomic structure of silicon crystals to obtain multi-tip field-emission sources of electrons”, Semiconductors, 52:2 (2018), 137–142 |
2
|
15. |
Р. К. Яфаров, “Влияние дипольной поляризации эмитирующей поверхности на пороги автоэмиссии многоострийных кремниевых катодных матриц”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 68–74 ; R. K. Yafarov, “The influence of dipole polarization of an emitting surface on autoemission thresholds of a multitip silicon cathode matrices”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 585–587 |
3
|
|
2017 |
16. |
Р. К. Яфаров, “Влияние электронного насыщения таммовских уровней на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1578–1584 ; R. K. Yafarov, “Influence of electron saturation of Tamm levels on the field-emission properties of silicon crystals”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1585–1591 |
2
|
17. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 558–562 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Surface nanostructuring in the carbon–silicon(100) system upon microwave plasma treatment”, Semiconductors, 51:4 (2017), 531–535 |
11
|
18. |
Р. К. Яфаров, “Влияние поверхностной нейтрализации активной примеси на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния $p$-типа”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 88–95 ; R. K. Yafarov, “The influence of the surface neutralization of active impurities on the field-electron emission properties of $p$-type silicon crystals”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1132–1135 |
|
2016 |
19. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 350–353 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Surface morphological instability of silicon (100) crystals under microwave ion physical etching”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 360–363 |
20. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 55–59 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Morphological stability of the atomically clean surface of silicon (100) crystals after microwave plasma-chemical processing”, Semiconductors, 50:1 (2016), 54–58 |
1
|
|
2015 |
21. |
Р. К. Яфаров, “Неравновесная СВЧ-плазма низкого давления в научных исследованиях и разработках микро- и наноэлектроники”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:2 (2015), 18–31 |
2
|
|