Влияние электронного насыщения таммовских уровней на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

Показано влияние плазмохимической модификации морфологии и состава поверхностной фазы на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния. Установлено, что электронное насыщение таммовских уровней в процессе получения атомно-чистых поверхностей кристаллов кремния и стабилизирующая пассивация поверхностных атомов в высокоионизованной микроволновой плазме с использованием хладона-14 позволяет по сравнению с пластинами с естественным оксидным покрытием или после их ионно-физического травления в среде аргона более чем в два раза уменьшить пороги напряженности электрического поля, при которых начинается полевая эмиссия электронов, и более чем на порядок увеличить максимальные плотности автоэмиссионных токов. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию поверхности и автоэмиссионных характеристик кристаллов кремния.