Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 55–59 (Mi phts6563)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки

Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (155 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследована морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кремния (100) после низкоэнергетичного СВЧ плазмохимического травления в различных плазмообразующих средах. Установлено, что релаксационные изменения поверхностной плотности и высоты атомных выступов после плазменной обработки в инертной и химически активной средах имеют разнонаправленный характер. После обработки в среде хладона-14 минимизация свободной энергии осуществляется в результате уменьшения поверхностной плотности микровыступов и увеличения их высоты. После обработки в плазме аргона наблюдается незначительное возрастание плотности выступов при одновременном уменьшении высот. Рассмотрены физико-химические процессы, обусловливающие эти изменения.
Поступила в редакцию: 26.03.2015
Принята в печать: 09.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 54–58
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261601022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 55–59; Semiconductors, 50:1 (2016), 54–58
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YafSha16}
\by Р.~К.~Яфаров, В.~Я.~Шаныгин
\paper Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 55--59
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6563}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668019}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 54--58
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261601022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6563
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p55
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024