Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 980–985
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46230.8691 (Mi phts5726) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (234 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46230.8691
Аннотация: Исследования высокодозной имплантации ионов углерода в отсутствие послеоперационного отжига показали существенную модификацию морфологии, фазового состава приповерхностных слоев и автоэмиссионных свойств пластин кремния. Обнаружены влияние типа электропроводности на эволюцию в зависимости от дозы облучения морфологии поверхностей кристаллов кремния и повышенное содержание алмазоподобных фаз в области микровыступов при максимальной дозе, которое не зависит от типа электропроводности. Показано, что высокодозная имплантация углерода в пластины кремния с предварительно структурированной поверхностью увеличивает максимальные плотности автоэмиссионных токов более двух порядков величины.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-19-10033
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 16-19-10033).
Поступила в редакцию: 02.10.2017
Принята в печать: 18.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1104–1109
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090245
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. К. Яфаров, “Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 980–985; Semiconductors, 52:9 (2018), 1104–1109
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Yaf18}
\by Р.~К.~Яфаров
\paper Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 980--985
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5726}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46230.8691}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903539}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1104--1109
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090245}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5726
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p980
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024