Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 558–562
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44352.8207
(Mi phts6194)
 

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке

Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы и механизмы влияния плазменной подготовки поверхности на закономерности конденсации и поверхностные фазовые превращения при формировании масковых кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100) $p$-типа при осаждении субмонослойных углеродных покрытий в СВЧ-плазме паров этанола низкого давления. Показано, что при кратковременных длительностях осаждения углерода на кремниевые пластины с естественным оксидным покрытием при температуре 100$^\circ$C наблюдается формирование доменов с латеральными размерами от 10–15 до 200 нм, а высоты выступов, полученных плазмохимическим травлением кремния через доменные масковые покрытия, изменяются в интервале от 40 до 80 нм.
Поступила в редакцию: 14.02.2016
Принята в печать: 27.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 531–535
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 558–562; Semiconductors, 51:4 (2017), 531–535
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YafSha17}
\by Р.~К.~Яфаров, В.~Я.~Шаныгин
\paper Поверхностное наноструктурирование в системе углерод--кремний (100) при микроволновой плазменной обработке
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 558--562
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6194}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44352.8207}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404901}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 531--535
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6194
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p558
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024