Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 18–25
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46981.8826 (Mi phts5605) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (209 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46981.8826
Аннотация: Исследованы закономерности модификации поверхности кремниевых кристаллов при СВЧ плазменной микрообработке в различных химически активных газовых средах. Показано, что модификация обусловлена формированием встроенных поверхностных потенциалов, которые в зависимости от типа электропроводности полупроводников различным образом влияют на автоэмиссионные свойства и приповерхностный электронный транспорт в устройствах, изготовленных на их основе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-19-10033
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 16-19-10033).
Поступила в редакцию: 22.01.2018
Исправленный вариант: 21.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 14–21
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261901024X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. К. Яфаров, “Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 18–25; Semiconductors, 53:1 (2019), 14–21
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Yaf19}
\by Р.~К.~Яфаров
\paper Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 18--25
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5605}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46981.8826}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476599}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 14--21
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261901024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5605
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p18
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024