|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. М. Калыгина, А. В. Цымбалов, А. В. Алмаев, Ю. С. Петрова, “Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 264–268   ; V. M. Kalygina, A. V. Tsymbalov, A. V. Almaev, Yu. S. Petrova, “Influence of electrode topology on the parameters of solar-blind UV detectors”, Semiconductors, 55:3 (2021), 341–345 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, V. V. Kopyev, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Effect of ultraviolet radiation and electric field on the conductivity of structures based on $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1224–1229 |
2
|
| 3. |
В. М. Калыгина, А. В. Алмаев, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, “Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 575–579 ; V. M. Kalygina, A. V. Almaev, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, “Solar-blind UV detectors based on $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films”, Semiconductors, 54:6 (2020), 682–686 |
18
|
| 4. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 33–36 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Properties of resistive structures based on gallium oxide polymorphic phases”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 867–870 |
2
|
| 5. |
А. В. Цымбалов, В. М. Калыгина, Н. К. Максимова, Е. В. Черников, “Влияние режимов работы на отклик сенсоров аммиака на основе пленок диоксида олова”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 21–24 ; A. V. Tsymbalov, V. M. Kalygina, N. K. Maksimova, E. V. Chernikov, “The effect of operating modes on the response of ammonia sensors based on tin dioxide films”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 480–483 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, Ю. С. Петрова, Е. В. Черников, “Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 468–473 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, Yu. S. Petrova, E. V. Chernikov, “Influence of the substrate material on the properties of gallium-oxide films and gallium-oxide-based structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 452–457 |
2
|
| 7. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, Т. М. Яскевич, “Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 411–417 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, A. V. Tsymbalov, T. M. Yaskevich, “Structure and properties of gallium-oxide films produced by high-frequency magnetron-assisted deposition”, Semiconductors, 53:3 (2019), 388–394 |
5
|
|
2018 |
| 8. |
В. М. Калыгина, И. Л. Ремезова, О. П. Толбанов, “Проводимость гетеропереходов Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 154–160 ; V. M. Kalygina, I. L. Remizova, O. P. Tolbanov, “Conductivity of Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs heterojunctions”, Semiconductors, 52:2 (2018), 143–149 |
1
|
|
2016 |
| 9. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, В. А. Новиков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1178–1184 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, V. А. Novikov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1156–1162 |
2
|
| 10. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1036–1040 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Conduction in titanium dioxide films and metal–TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1015–1019 |
3
|
|
Обратная связь: