Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия

Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики резистивных структур на основе полиморфных пленок оксида галлия (Ga$_{2}$O$_{3}$). Пленки Ga$_{2}$O$_{3}$ осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии (HVPE) на гладкие и структурированные сапфировые подложки с базисной ориентацией (0001). На гладких подложках растут пленки $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$, а на структурированных – пленки оксида галлия, содержащие $\alpha$- и $\varepsilon$-фазы. В структурах металл/Ga$_{2}$O$_{3}$/металл на основе двухфазных пленок обнаружен эффект переключения. При воздействии излучения с $\lambda$ = 254 nm и сильного электрического поля структуры переходят из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением.