|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1036–1040
(Mi phts6382)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
Исследовано влияние отжига пленок оксида титана на электрические характеристики структур металл–TiO$_{2}$–$n$-Si. Показано, что независимо от температуры отжига проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется током, ограниченным пространственным зарядом в диэлектрике с ловушками, экспоненциально распределенными по энергии. При отрицательных потенциалах на затворе основной вклад в ток дает генерация электронно-дырочных пар в области пространственного заряда в кремнии. Свойства границы раздела TiO$_{2}$–$n$-Si зависят от структуры и фазового состояния оксидной пленки, которые определяются температурой отжига.
Поступила в редакцию: 29.10.2015 Принята в печать: 11.01.2016
Образец цитирования:
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1036–1040; Semiconductors, 50:8 (2016), 1015–1019
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6382 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1036
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 46 |
|