|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$
В. М. Калыгинаa, В. И. Николаевbc, А. В. Алмаевa, А. В. Цымбаловa, В. В. Копьевa, Ю. С. Петроваa, И. А. Печниковc, П. Н. Бутенкоc a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b ООО "Совершенные кристаллы", 194064 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga$_{2}$O$_{3}$ получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ пленки, а на структурированных – пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке, содержащими чередующиеся области $\alpha$- и $\varepsilon$-фазы. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением при воздействии излучения с $\lambda$ = 254 нм и сильного электрического поля. Время формирования отклика на УФ излучение – 5 с, время восстановления меньше 1 с.
Ключевые слова:
оксид галлия, HVPE, полиморфизм, ультрафиолет, вольт-амперные характеристики.
Поступила в редакцию: 27.05.2020 Исправленный вариант: 02.06.2020 Принята в печать: 02.06.2020
Образец цитирования:
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040; Semiconductors, 54:10 (2020), 1224–1229
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5135 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1035
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 39 |
|