Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$

Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga$_{2}$O$_{3}$ получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ пленки, а на структурированных – пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке, содержащими чередующиеся области $\alpha$- и $\varepsilon$-фазы. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением при воздействии излучения с $\lambda$ = 254 нм и сильного электрического поля. Время формирования отклика на УФ излучение – 5 с, время восстановления меньше 1 с.