Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения

Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между “пальцами” составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны $\lambda$ = 254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5 мкм демонстрируют наибольшие значения фототока $I_{\mathrm{ph}}$ = 3.8 мА и удельную обнаружительную способность $D^*$ = 5.54 $\cdot$ 10$^{15}$ см $\cdot$ Гц$^{0.5}\cdot$ Вт$^{-1}$.