|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Mikhail A. Lobaev, Anatoly L. Vikharev, Aleksey M. Gorbachev, Dmitry B. Radishev, Ekaterina A. Arkhipova, Mikhail N. Drozdov, Vladimir A. Isaev, Sergey A. Bogdanov, Vladimir A. Kukushkin, “Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022), 578–584   |
|
2021 |
| 2. |
А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, Н. М. Овечкин, О. А. Иванов, Д. Б. Радищев, А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, С. А. Краев, С. А. Королев, “Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 49–58 ; A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, N. M. Ovechkin, O. A. Ivanov, D. B. Radishev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. Ya. Vul', A. T. Dideikin, S. A. Kraev, S. A. Korolev, “Study of undoped nanocrystalline diamond films grown by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition”, Semiconductors, 55:1 (2021), 66–75 |
3
|
| 3. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
|
2020 |
| 4. |
А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, С. В. Большедворский, А. И. Зеленеев, В. В. Сошенко, А. В. Акимов, М. Н. Дроздов, В. А. Исаев, “Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 19–23 ; A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, S. V. Bolshedvorskii, A. I. Zeleneev, V. V. Soshenko, A. V. Akimov, M. N. Drozdov, V. A. Isaev, “Formation of multilayered nanostructures of NV sites in single-crystal CVD diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 641–645 |
1
|
| 5. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
|
2019 |
| 6. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
5
|
| 7. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
| 8. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, “Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 11–14 ; A. B. Pashkovskii, S. A. Bogdanov, “Localization of upper-valley electrons in a narrow-bandgap channel: a possible additional mechanism of current increase in DA-DpHEMT”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1020–1023 |
1
|
| 9. |
С. А. Богданов, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, М. А. Лобаев, С. А. Гусев, Д. А. Татарский, С. В. Большедворский, А. В. Акимов, В. В. Чернов, “Создание локализованных ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с помощью облучения электронным пучком”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 36–39 ; S. A. Bogdanov, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, M. A. Lobaev, S. A. Gusev, D. A. Tatarskii, S. V. Bolshedvorskii, A. V. Akimov, V. V. Chernov, “Creation of localized NV center ensembles in CVD diamond by electron beam irradiation”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 281–284 |
4
|
| 10. |
С. А. Богданов, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, М. А. Лобаев, “Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза”, Письма в ЖТФ, 45:3 (2019), 30–33 ; S. A. Bogdanov, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, M. A. Lobaev, “Contraction of microwave discharge in the reactor for chemical vapor deposition of diamond”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 89–92 |
10
|
|
2017 |
| 11. |
E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151 ; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106 |
| 12. |
В. А. Кукушкин, Д. Б. Радищев, М. А. Лобаев, С. А. Богданов, А. В. Здоровейщев, И. И. Чунин, “Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 65–71 ; V. A. Kukushkin, D. B. Radishev, M. A. Lobaev, S. A. Bogdanov, A. V. Zdoroveyshchev, I. I. Chunin, “A CVD diamond-based photodetector for the visible and near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1121–1123 |
3
|
|
2016 |
| 13. |
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, “Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1647–1651 ; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, V. V. Chernov, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, A. B. Muchnikov, “Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1622–1625 |
3
|
| 14. |
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598 ; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 |
2
|
|
Обратная связь: