|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов АО НПП "Исток" им. Шокина, Фрязино, Московская обл., Россия
Аннотация:
Проведена теоретическая оценка влияния локализации электронов верхних долин в узкозонном канале транзисторных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs с двусторонним легированием на величину всплеска дрейфовой скорости. Показано, что для транзисторных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием, в которых доля электронов, перешедших из узкозонного канала в широкозонный материал, меньше, чем в обычных структурах, за счет локализации электронов верхних долин в узкозонном канале в ряде случаев увеличение дрейфовой скорости может достигать 15%. Исследованный эффект может являться дополнительным механизмом увеличения тока в транзисторах на основе гетероструктур с донорно-акцепторным легированием.
Ключевые слова:
донорно-акцепторное легирование, верхние долины, узкозонный канал, всплеск дрейфовой скорости.
Поступила в редакцию: 13.06.2019 Исправленный вариант: 26.06.2019 Принята в печать: 26.06.2019
Образец цитирования:
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, “Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 11–14; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1020–1023
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5287 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i20/p11
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 10 |
|