Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 20, страницы 11–14
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.20.48385.17925 (Mi pjtf5287) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT

А. Б. Пашковский, С. А. Богданов

АО НПП "Исток" им. Шокина, Фрязино, Московская обл., Россия
PDF полного текста (244 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.20.48385.17925
Аннотация: Проведена теоретическая оценка влияния локализации электронов верхних долин в узкозонном канале транзисторных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs с двусторонним легированием на величину всплеска дрейфовой скорости. Показано, что для транзисторных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием, в которых доля электронов, перешедших из узкозонного канала в широкозонный материал, меньше, чем в обычных структурах, за счет локализации электронов верхних долин в узкозонном канале в ряде случаев увеличение дрейфовой скорости может достигать 15%. Исследованный эффект может являться дополнительным механизмом увеличения тока в транзисторах на основе гетероструктур с донорно-акцепторным легированием.
Ключевые слова: донорно-акцепторное легирование, верхние долины, узкозонный канал, всплеск дрейфовой скорости.
Поступила в редакцию: 13.06.2019
Исправленный вариант: 26.06.2019
Принята в печать: 26.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 10, Pages 1020–1023
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019100286
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, “Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 11–14; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1020–1023
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PasBog19}
\by А.~Б.~Пашковский, С.~А.~Богданов
\paper Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале -- возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 20
\pages 11--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5287}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.20.48385.17925}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300900}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 10
\pages 1020--1023
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019100286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5287
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i20/p11
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024