|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Боголюбский, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, К. В. Туруткин, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 1983–1993   |
1
|
|
2020 |
| 2. |
V. N. Neverov, A. S. Bogolubskii, S. V. Gudina, S. M. Podgornykh, K. V. Turutkin, M. R. Popov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 830 ; Semiconductors, 54:8 (2020), 982–990 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, Е. В. Ильченко, В. Н. Неверов, А. П. Савельев, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1447–1454 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 |
5
|
| 4. |
С. В. Гудина, А. С. Боголюбский, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, “Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1291–1294 ; S. V. Gudina, A. S. Bogolubskii, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, ““Extremum loop” model for the valence-band spectrum of a HgTe/HgCdTe quantum well with an inverted band structure in the semimetallic phase”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1403–1406 |
3
|
| 5. |
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 16–22 ; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide hgte quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 12–18 |
4
|
|
2017 |
| 6. |
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1630 ; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:12 (2018), 12–18 |
4
|
| 7. |
Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281 ; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278 |
1
|
|
2016 |
| 8. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1669–1674 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 |
2
|
|
Обратная связь: