|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 794–798  [I. S. Shashkin, A. D. Rybkin, V. A. Kryuchkov, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Investigation of the quasi-cw heating dynamics of an active region of high-power semiconductor lasers (λ = 1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture (800 μm)”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S18–S24] |
2
|
| 2. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 171–173 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Veselov, L. S. Efremov, V. V. Zolotarev, A. E. Kazakova, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “Vertical stacks of pulsed (100 ns) mesa-stripe semiconductor lasers with an ultra-wide (800 μm) aperture emitting kilowatt-level peak power at a wavelength of 1060 nm”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 171–173   ] |
7
|
|
2021 |
| 3. |
Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914  [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914 ] |
3
|
|
2020 |
| 4. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, А. Е. Казакова, В. А. Капитонов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 734–742 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, A. E. Kazakova, V. A. Kapitonov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of the spatial and current dynamics of optical loss in semiconductor laser heterostructures by optical probing”, Semiconductors, 54:8 (2020), 882–889 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, “Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, “Cascade solar cells based on GaP/Si/Ge nanoheterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 250–252 |
5
|
|
2018 |
| 6. |
Д. Л. Алфимова, М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, А. С. Пащенко, А. Е. Казакова, “Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1277–1282 ; D. L. Alfimova, M. L. Lunina, L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, A. E. Kazakova, “The effect of bismuth on the structural perfection and the luminescent properties of thin-film elastically stressed Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1280–1286 |
3
|
| 7. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова, “Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 888–896 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, V. V. Kalinchuk, A. E. Kazakova, “Thin-film In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures grown in a temperature gradient”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 890–898 |
2
|
| 8. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. E. Kazakova, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, “AlInGaPAs/GaAs/Si heterostructures for photoelectric converters fabricated by pulsed laser deposition”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1154–1156 |
1
|
|
2017 |
| 9. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1377–1384 |
8
|
|
Обратная связь: