|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
Аннотация:
Обсуждаются результаты выращивания тонкопленочных гетероструктур In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства тонких пленок InAlGaAsSb выращенных на подложке GaSb.
Поступила в редакцию: 29.08.2017
Образец цитирования:
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова, “Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 888–896; Phys. Solid State, 60:5 (2018), 890–898
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9193 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i5/p888
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 17 |
|