Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Андреев Вячеслав Михайлович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 26
Научных статей: 26

Статистика просмотров:
Эта страница:418
Страницы публикаций:1449
Полные тексты:496
член-корреспондент РАН
профессор
доктор технических наук (1979)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 18.09.1941
E-mail:

Основные темы научной работы

солнечная фотоэнергетика

Научная биография:

Андреев, Вячеслав Михайлович. Получение и исследование структур с гетеропереходами в системе арсенид алюминия-арсенид галлия : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.00.00. - Ленинград, 1969. - 260 с. : ил.

Андреев, Вячеслав Михайлович. Жидкостная эпитаксия гетероструктур в системе алюминий - галлий - мышьяк, разработка и исследование оптоэлектронных приборов на их основе : дис. ... докт. техн. наук : 01.04.10. - Ленинград, 1979. - 371 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person159474
https://ru.wikipedia.org/wiki/Андреев,_Вячеслав_Михайлович
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20599

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Е. А. Гребенщикова, В. М. Андреев, “Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов”, ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074  mathnet  elib
2. А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, Д. А. Малевский, “К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  915–921  mathnet  elib; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, D. A. Malevskii, “High-efficiency photovoltaic modules with solar concentrators”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 857–863  scopus 2
3. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222  mathnet  elib
4. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 2
5. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 2
6. Д. А. Малевский, А. В. Малевская, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54  mathnet  elib; D. A. Malevskii, A. V. Malevskaya, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Dynamics of air humidity in a concentrator photovoltaic module with a drying device”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 208–210
7. А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 3
2020
8. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$$i$$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$$i$$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 4
9. А. В. Малевская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Investigation of passivating and protecting methods for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 976–978 1
10. А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26  mathnet  elib; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, “High-efficiency photoelectric units with sunlight concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 646–648
11. Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, А. В. Малевская, В. М. Андреев, “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13  mathnet  elib; D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V. M. Andreev, “Control system of Sun-tracking accuracy for concentration photovoltaic installations”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 523–525 2
12. Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, В. М. Андреев, “Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  29–31  mathnet  elib; N. Yu. Daviduk, A. V. Andreeva, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, V. M. Andreev, “Electroinsulated heat sinks for concentrated photovoltaic solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 436–438 1
2019
13. С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43  mathnet  elib; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Increasing the photocurrent of a Ga(In)As subcell in multijunction solar cells based on GaInP/Ga(In)As/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1258–1261 1
14. А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Development of methods for liquid etching of a separation mesa-structure in creating multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1230–1232 6
15. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 8
16. А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, А. А. Блохин, В. М. Андреев, “Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Blokhin, V. M. Andreev, “Studying the formation of antireflection coatings on multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1024–1026 3
17. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Андреева, В. М. Андреев, В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, А. М. Лемешевская, В. И. Кузоро, В. И. Халиманович, М. К. Зайцева, “Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  52–54  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Andreeva, V. M. Andreev, V. V. Malyutina-Bronskaya, V. B. Zalesskiy, A. M. Lemeshevskaya, V. I. Kuzoro, V. I. Khalimanovich, M. K. Zayceva, “Hybrid solar cells with a sunlight concentrator system”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 850–852 6
18. А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 3
2018
19. А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 5
20. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 9
21. С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, В. М. Андреев, “Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  95–101  mathnet  elib; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Andreev, “An antireflection coating of a germanium subcell in GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1042–1044 1
22. В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, А. В. Андреева, “Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  105–110  mathnet  elib; V. M. Andreev, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, “Thermal characteristics of high-efficiency photovoltaic converters of high-power laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 999–1001
23. В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 6
2016
24. В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379  mathnet  elib; V. M. Andreev, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, A. V. Chekalin, “On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361
25. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 9
26. В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 42

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024