Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 614–617
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51028.9646 (Mi phts5018) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (202 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51028.9646
Аннотация: Выполнены исследования инфракрасных светодиодов с длиной волны излучения 850 нм на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с брэгговским отражателем и дополнительным “отражающим” слоем Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As, обеспечивающими снижение внутренних оптических потерь генерируемого излучения. Разработана постростовая технология формирования фронтальных полосковых омических контактов и текстурирования световыводящей поверхности, позволившая снизить омические потери и увеличить эффективность вывода излучения из кристалла. Внешний квантовый выход светодиодов с двумя внутренними отражателями и текстурированием составил $>$ 9% в диапазоне токов 0.1–1.4 А.
Ключевые слова: инфракрасный излучающий диод, брэгговский отражатель, текстурирование.
Поступила в редакцию: 09.03.2021
Исправленный вариант: 15.03.2021
Принята в печать: 15.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 686–690
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617; Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKalMal21}
\by А.~В.~Малевская, Н.~А.~Калюжный, Д.~А.~Малевский, С.~А.~Минтаиров, Р.~А.~Салий, А.~Н.~Паньчак, П.~В.~Покровский, Н.~С.~Потапович, В.~М.~Андреев
\paper Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 614--617
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5018}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51028.9646}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488617}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 686--690
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5018
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p614
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025