|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, А. С. Кумсков, И. С. Волчков, В. В. Берестов, Е. В. Матвеев, “Возможности СВЧ-метода активации углеродных материалов в сравнении с традиционным термическим”, УФН, 193:12 (2023), 1325–1334  ; I. G. Dyachkova, D. A. Zolotov, A. S. Kumskov, I. S. Volchkov, V. V. Berestov, E. V. Matveev, “Potential of the microwave method for the activation of carbon materials in comparison with the traditional thermal method”, Phys. Usp., 66:12 (2023), 1248–1257   |
1
|
| 2. |
Д. А. Золотов, В. Е. Асадчиков, А. В. Бузмаков, В. В. Волков, И. Г. Дьячкова, П. В. Конарев, В. А. Григорьев, Э. В. Суворов, “Новые подходы к трёхмерной реконструкции дислокаций в кремнии по данным рентгеновской топо-томографии”, УФН, 193:9 (2023), 1001–1009 ; D. A. Zolotov, V. E. Asadchikov, A. V. Buzmakov, V. V. Volkov, I. G. Dyachkova, P. V. Konarev, V. A. Grigorev, E. V. Suvorov, “New approaches to three-dimensional dislocation reconstruction in silicon from X-ray topo-tomography data”, Phys. Usp., 66:9 (2023), 943–950 |
1
|
|
2021 |
| 3. |
Д. А. Золотов, В. Е. Асадчиков, А. В. Бузмаков, И. Г. Дьячкова, Э. В. Суворов, “Необычные X-образные дефекты в монокристалле кремния, возникающие под действием четырехопорного изгиба”, Письма в ЖЭТФ, 113:3 (2021), 161–167  ; D. A. Zolotov, V. E. Asadchikov, A. V. Buzmakov, I. G. Dyachkova, E. V. Suvorov, “Unusual X-shaped defects in the silicon single crystal subjected to four-point bending”, JETP Letters, 113:3 (2021), 149–154 |
7
|
|
2020 |
| 4. |
А. А. Ширяев, Д. А. Золотов, Е. М. Супрун, И. Г. Дьячкова, С. А. Ивахненко, В. Е. Асадчиков, “Вклад структурных дефектов в интенсивность квазизапрещенных рентгеновских отражений алмаза: сравнение данных рентгеновской топографии и инфракрасной спектроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 111:9 (2020), 597–601 ; A. A. Shiryaev, D. A. Zolotov, E. M. Suprun, I. G. Dyachkova, S. A. Ivakhnenko, V. E. Asadchikov, “Contribution of lattice defects to the intensity of quasi-forbidden X-ray reflections of diamond: comparison of X-ray topography and infrared spectroscopy data”, JETP Letters, 111:9 (2020), 489–493 |
4
|
| 5. |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Е. В. Никитина, “Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 557–563 ; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, E. V. Nikitina, “Correcting the characteristics of silicon photodiodes by ion implantation”, Semiconductors, 54:6 (2020), 666–671 |
2
|
|
2019 |
| 6. |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Л. М. Сорокин, “Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1754–1762 ; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, L. M. Sorokin, “Microstructure of Si crystals subjected to irradiation with high-energy H$^+$ ions and heat treatment by high-resolution three-crystal X-ray diffraction and transmission electron microscopy”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1707–1715 |
1
|
| 7. |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Л. М. Сорокин, “Об изменении реальной структуры кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода, при их отжиге по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1437–1442 ; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, L. M. Sorokin, “On change in the silicon crystal structure implanted with hydrogen ions during annealing based on three-crystal X-ray diffractometry data”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1383–1388 |
1
|
| 8. |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, Ф. Н. Чуховский, “Рентгеновская диагностика дефектов микроструктуры кристаллов кремния, облученных ионами водорода”, ЖТФ, 89:5 (2019), 731–736 ; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, Yu. S. Krivonosov, F. N. Chukhovskii, “X-ray diagnostics of microstructure defects of silicon crystals irradiated by hydrogen ions”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 680–685 |
1
|
|
Обратная связь: