|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации
В. Е. Асадчиковa, И. Г. Дьячковаa, Д. А. Золотовa, Ф. Н. Чуховскийa, Е. В. Никитинаb a Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассмотрены результаты измерений электрофизических параметров кремниевых pin-фотодиодов после имплантации дефектообразующих ионов и последующей термической обработки, которые открывают новый способ уменьшения темнового тока и увеличения выхода годных приборов. Данные электрофизических измерений сопоставлены с результатами структурных исследований. Экспериментально установлена эффективность облучения протонами периферии $n^{+}$–$p$-переходов для защиты поверхности pin-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Определены оптимальные условия – режимы облучения протонами и последующего термического отжига (энергии $E$ = 100 + 200 + 300 кэВ, доза $D$ = 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$, температура $T$ = 300$^\circ$C, время $t$ = 2 ч), при которых происходит формирование поверхностного слоя с оптимальными для достижения минимальных темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца характеристиками. Применение этих режимов к серийным pin-фотодиодам с глубиной залегания $n^{+}$–$p$-переходов $\sim$3 мкм позволило снизить темновой ток на порядок величины и повысить выход годных приборов.
Ключевые слова:
фотодиоды, имплантация протонов, термический отжиг, радиационные дефекты, темновой ток.
Поступила в редакцию: 16.01.2020 Исправленный вариант: 27.01.2020 Принята в печать: 27.01.2020
Образец цитирования:
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Е. В. Никитина, “Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 557–563; Semiconductors, 54:6 (2020), 666–671
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5221 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i6/p557
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 17 |
|