Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 10, страницы 1754–1762
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.10.48245.498 (Mi ftt8651) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводники

Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н+-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии

В. Е. Асадчиковa, И. Г. Дьячковаa, Д. А. Золотовa, Ф. Н. Чуховскийa, Л. М. Сорокинb

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1455 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.10.48245.498
Аннотация: Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2 ⋅ 1016 cm−2, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100∘С.
Ключевые слова: кремний, ионы водорода, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, постимплантационный отжиг, радиационные дефекты.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.
Поступила в редакцию: 29.05.2019
Исправленный вариант: 29.05.2019
Принята в печать: 04.06.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 10, Pages 1707–1715
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419100068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Л. М. Сорокин, “Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н+-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1754–1762; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1707–1715
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AsaDyaZol19}
\by В.~Е.~Асадчиков, И.~Г.~Дьячкова, Д.~А.~Золотов, Ф.~Н.~Чуховский, Л.~М.~Сорокин
\paper Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1754--1762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8651}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.10.48245.498}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174911}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1707--1715
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419100068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8651
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i10/p1754
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Е. В. Никитина, “Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 557–563  mathnet  crossref; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, E. V. Nikitina, “Correcting the characteristics of silicon photodiodes by ion implantation”, Semiconductors, 54:6 (2020), 666–671  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:78
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025