|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
В. Е. Асадчиковa, И. Г. Дьячковаa, Д. А. Золотовa, Ф. Н. Чуховскийa, Л. М. Сорокинb a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН,
Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100$^\circ$С.
Ключевые слова:
кремний, ионы водорода, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, постимплантационный отжиг, радиационные дефекты.
Поступила в редакцию: 29.05.2019 Исправленный вариант: 29.05.2019 Принята в печать: 04.06.2019
Образец цитирования:
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Л. М. Сорокин, “Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1754–1762; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1707–1715
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8651 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i10/p1754
|
|