Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н++-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
Аннотация:
Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2 ⋅⋅ 101616 cm−2−2, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100∘∘С.
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.
Поступила в редакцию: 29.05.2019 Исправленный вариант: 29.05.2019 Принята в печать: 04.06.2019
Образец цитирования:
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Л. М. Сорокин, “Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н++-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1754–1762; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1707–1715
\RBibitem{AsaDyaZol19}
\by В.~Е.~Асадчиков, И.~Г.~Дьячкова, Д.~А.~Золотов, Ф.~Н.~Чуховский, Л.~М.~Сорокин
\paper Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1754--1762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8651}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.10.48245.498}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174911}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1707--1715
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419100068}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8651
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i10/p1754
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Е. В. Никитина, “Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 557–563; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, E. V. Nikitina, “Correcting the characteristics of silicon photodiodes by ion implantation”, Semiconductors, 54:6 (2020), 666–671