Об изменении реальной структуры кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода, при их отжиге по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии

Представлены результаты исследования методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД) состояния нарушенного слоя в кристаллах кремния, сформированного путем имплантации ионов водорода с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$ при последующей термической обработке в интервале температур от 200 до 1100$^\circ$C. Рентгеновские исследования в данной работе проводились методом ТРД в схеме, когда исследуемый образец выступает в качестве второго неподвижного кристалла с различными фиксированными угловыми отстройками $\alpha$ от положения Брэгга, а третий (совершенный) кристалл-анализатор осуществляет развертку углового распределения излучения, дифрагированного вторым кристаллом. Из сравнения формы дифракционных и диффузных максимумов для исследуемых образцов был сделан качественный вывод о значительной трансформации радиационных дефектов в процессе постимплантационного отжига.